京都玉崎介绍半导体曝光设备原理

京都玉崎介绍半导体曝光设备原理

半导体曝光设备由光源、聚光透镜、光掩模、投影透镜和载物台组成。从光源发出的紫外光通过聚光透镜调整，使其指向同一方向。之后，紫外光穿过作为构成电路图案的一层的原型的光掩模，并通过投影透镜减少光线，将半导体元件的电路图案（的一层）转移到半导体元件上。马苏。在诸如步进机之类的曝光设备中，在完成一次转移之后，通过平台移动硅晶片，并将相同的电路图案转移到硅晶片上的另一位置。通过更换光掩模，可以转印半导体器件的另一层电路图案。

所使用的光源包括波长为248 nm的KrF准分子激光器、波长为193 nm的ArF准分子激光器以及波长为13 nm的EUV光源。

最新半导体制造工艺的设计规则（最小加工尺寸）越来越细化至3至5纳米左右，因此聚光透镜、光掩模、投影透镜和平台都需要纳米级的高精度。此外，随着层压的进行，进行多次曝光以改变电路图案并形成单个半导体。